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Die Nachfrage nach effizienter Energieversorgung nimmt zu, da diese eine der wichtigsten Triebkräfte für die Verringerung der Kohlenstoffemissionen ist. Wide-Bandgap-Technologien mit Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) sind heute der Schlüssel zur Verbesserung der Leistungsumwandlungseffizienz im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumbauteilen. Ingenieure müssen ihre Ansätze zur Validierung und Prüfung neu bewerten, um die Herausforderungen einer elektrifizierten Welt zu meistern. Lesen Sie mehr in diesem Anwendungsbericht von Keithley - a Tektronix Company (in englischer Sprache).